（1）熱敏特性
隨著環(huán)境溫度的升高，半導(dǎo)體的電阻率降低，電導(dǎo)率增加。
（2）光敏特性
當(dāng)一些半導(dǎo)體材料(硫化銅)暴露在光下時，電阻率明顯降低，導(dǎo)電性變得非常強(qiáng)。當(dāng)沒有光時，它變得像絕緣體一樣不導(dǎo)電，可以用來制造各種光敏器件。
（3）摻雜特性
在純半導(dǎo)體中加入一些合適的微量雜質(zhì)元素可以增加半導(dǎo)體中載流子的濃度，從而提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。
（4）其他敏感特性
一些半導(dǎo)體材料具有壓敏、磁敏、濕敏、氣味敏感、氣體敏感等特點(diǎn)，也可以逆轉(zhuǎn)上述特點(diǎn)。
　　本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性
常見的半導(dǎo)體材料是單晶硅和單晶鍺。所謂單晶是指整個晶體中的原子按照一定的規(guī)則有序排列的晶體。非常純的單晶半導(dǎo)體被稱為本征半導(dǎo)體。
　　雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性差，熱穩(wěn)定性差。因此，不適合直接使用它們來制造半導(dǎo)體器件。大多數(shù)半導(dǎo)體器件由含有一定量某些雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成。根據(jù)引入雜質(zhì)的性質(zhì)，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。
　　半導(dǎo)體導(dǎo)電特性
　　一、N型半導(dǎo)體
在硅晶體中加入5個價元素，如磷，到特征硅（或鍺）中，取代了少量硅原子，在晶格上占有一些位置。
磷原子的最外層有5個價電子，其中4個價電子分別與相鄰的4個硅原子形成共價鍵結(jié)構(gòu)。多余的價電子在共價鍵之外，只被磷原子微弱地結(jié)合。因此，在室溫下，可以獲得脫離結(jié)合所需的能量，并成為晶格間自由的自由電子。失去電子的磷原子變成不動的正離子。磷原子由于能夠釋放1個電子，因此被稱為施主原子，也被稱為施主雜質(zhì)。本征半導(dǎo)體中摻雜的每個磷原子可以產(chǎn)生一個自由電子，而本征激發(fā)產(chǎn)生的空穴數(shù)量保持不變。這樣，在摻雜磷的半導(dǎo)體中，自由電子的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過空穴的數(shù)量，成為多數(shù)載流子(簡稱多子)，空穴成為少數(shù)載流子(簡稱少子)。顯然，主導(dǎo)電性是電子，所以這個半導(dǎo)體被稱為電子半導(dǎo)體，簡稱為N型半導(dǎo)體。
　　二、P型半導(dǎo)體
如果向本征半導(dǎo)體硅(或鍺)中導(dǎo)入硼這樣的微量的3價元素，硼原子取代結(jié)晶中的少量的硅原子而占據(jù)晶格上的某個位置。硼原子的三價電子由三個相鄰硅原子中三價電子的完整共價鍵組成，鄰近硼原子的另一個硅原子缺乏一個電子，出現(xiàn)一個孔。在這個空穴被附近硅原子中的價電子填充后，三價硼原子獲得一個電子并變成負(fù)離子。同時，在相鄰的共價鍵上出現(xiàn)了一個空穴。硼原子起著接受電子的作用，因此又稱受體原子，又稱受體雜質(zhì)。
可以為本征半導(dǎo)體中摻雜的每個硼原子提供一個空穴。當(dāng)摻雜一定數(shù)量的硼原子時，半導(dǎo)體中空穴的數(shù)量可以比固有激發(fā)電子的數(shù)量大得多，并且成為大多數(shù)載流子，而電子成為少數(shù)載流子。顯然，主導(dǎo)電導(dǎo)率是孔，所以這個半導(dǎo)體被稱為孔型半導(dǎo)體，簡稱P型半導(dǎo)體。