在一個(gè)本征半導(dǎo)體中,自由電子相對(duì)較少,無論是硅還是鍺,rb521s30t1g在其本征態(tài)中幾乎沒有用處。純半導(dǎo)體材料既不是絕緣體,也不是良導(dǎo)體,因?yàn)椴牧现械碾娏髦苯尤Q于自由電子的數(shù)量。絕緣子、半導(dǎo)體和導(dǎo)體的能帶重疊說明了它們之間的電導(dǎo)率的本
05-09(1)熱熔保險(xiǎn)絲技術(shù)。這一技術(shù)是用蠟保護(hù)的低熔點(diǎn)金屬在一定的技術(shù)安裝在壓敏電阻上,在壓敏電阻漏電過大,在溫度上升到一定程度時(shí),低熔點(diǎn)金屬熔斷,從而將壓敏電阻斷從電路中切斷,可有效防止壓敏電阻燃燒。但是熱熔保險(xiǎn)絲存在可靠性問題,而且在加強(qiáng)熱循
05-08半導(dǎo)體照明大家聽說過嗎?事實(shí)上,這是一個(gè)名字,在生活中我們經(jīng)常稱之為L(zhǎng)ED照明,人們可能在生活中使用LED照明?LED照明的優(yōu)點(diǎn)是什么?讓我們?cè)u(píng)估一下引導(dǎo)照明的優(yōu)點(diǎn),并一起了解它!半導(dǎo)體照明高節(jié)能節(jié)能動(dòng)力無污染即為環(huán)保。直流驅(qū)動(dòng)、超低功率(
04-09(1)熱熔保險(xiǎn)絲技術(shù)。該技術(shù)采用一定的工藝將受蠟保護(hù)的低熔點(diǎn)金屬安裝在變阻器上,當(dāng)變阻器的漏電流過大,溫度上升到一定程度時(shí),低熔點(diǎn)金屬熔斷,將變阻器與電路分離,可以有效地防止變阻器的起火燃燒。但是熱熔保險(xiǎn)絲存在可靠性問題,而且在加強(qiáng)熱循環(huán)的
04-07一、導(dǎo)體1、導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)銅是良導(dǎo)體,其原子結(jié)構(gòu)如圖1所示,第一層有兩個(gè)電子,第二層有八個(gè)電子,第三層有18個(gè)電子,最外層只有一個(gè)電子。圖1:銅原子結(jié)構(gòu)圖2、價(jià)帶與核心原子最外層的電子軌道稱為價(jià)格帶軌道,他決定原子的電特性,簡(jiǎn)化銅原子內(nèi)部,參
03-26半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的核心發(fā)動(dòng)機(jī),半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體技術(shù)迭代的基石。大型制造業(yè)的發(fā)展需要推進(jìn)產(chǎn)業(yè)設(shè)備的發(fā)展,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也是如此。遵循摩爾定律的旋律,晶體管的集成度在約18個(gè)月內(nèi)倍增。半導(dǎo)體工藝由上世紀(jì)70年代的3-10微米發(fā)展到目前的
03-17